Физические основы электроники и наноэлектроники
I.Перечень вопросов к зачету
1.Кристаллическая решетка, типы связей, дефекты решетки.
2.Энергетическое строение твердых тел. Зонные диаграммы.
3.Проводимость твердых тел и подвижность носителей заряда.
4.Собственный полупроводник. Концентрация свободных носителей заряда.
5.Полупроводник n-типа. Зонные диаграммы. Основные и неосновные носители заряда.
6.Полупроводник p-типа. Зонные диаграммы. Основные и неосновные носители заряда.
7.Функции распределения частиц по уровням энергии (распределение Ферми-Дирака и Максвелла-Больцмана).
8.Распределение носителей заряда в энергетических зонах.
9.Влияние поверхностных состояний. Эффект внешнего поля. Работа выхода.
10.Уровень Ферми. Температурная зависимость положения уровня Ферми.
11.Температурная зависимость электропроводности металлов и полупроводников.
12.Неравновесные носители заряда. Генерация и рекомбинация. Виды рекомбинации. Время жизни носителей заряда.
13.Ток дрейфа и диффузионный ток в полупроводниках. Закон полного тока.
14.Уравнение непрерывности. Диффузионная длина носителей заряда.
15.Виды электрических контактов, требования предъявляемые к ним.
16.Методы получения электрических переходов.
17.Р-n-переход в равновесии. Контактная разность потенциалов. Зонные диаграммы.
18.Р-n-переход при прямом смещении. Контактная разность потенциалов. Зонные диаграммы.
19.Р-n-переход при обратном смещении. Контактная разность потенциалов. Зонные диаграммы.
20.ВАХ идеального и реального р-n-перехода.
22.Математическая модель идеализированного электронно-дырочного перехода.
23.Инерционные свойства p-n-перехода
24.Туннельный пробой p-n-перехода.
25.Лавинный пробой p-n-перехода.
26.Тепловой пробой p-n-перехода.
27.Диффузионная емкостьp-n-перехода.
28.Барьерная емкость p-n-перехода.
29.Электронная эмиссия.
30.Контакт металла с полупроводником. Барьер Шоттки. Определение. Зонные диаграммы.
31.Контакт металла с полупроводником. Омический переход. Определение. Зонные диаграммы.
32.Гетеропереход. Определение. Зонные диаграммы.
33.Поверхностные явления. Эффект поля.
34.Структура металл-диэлектрик-полупроводник.
35.Фотоэлектрические явления в полупроводниках и переходах. Фотопроводимость.
36.Фотоэлектрические явления в полупроводниках и переходах. Фотогальванический эффект.
37.Термоэлектрические явления. Эффект Пельтье.
38.Термоэлектрические явления. Эффект Зеебека.
39.Гальваномагнитный эффект Холла.
40.Термоэлектронная эмиссия, вторичная электронная эмиссия.
41.Понятие о плазме и электрическом разряде в газе.
42.Особенности квантово – размерных структур.
43.Роль физических основ электроники в развитии полупроводниковых приборов, микроэлектроники, электровакуумных и газоразрядных приборов, электронно-лучевых и индикаторных приборов.
II.Содержание дисциплины
1.Введение. Основы физики твердых тел
Цель и задачи дисциплины, роль физических явлений и процессов в электронике. Общая характеристика электроники. Терминология. Основные направления развития электроники.
2.Статистика носителей заряда в металлах, полупроводниках и диэлектриках
Взгляд на строение атома и твердого тела с позиций квантовой механики. Элементы зонной теории. Энергия Ферми. Типы энергетических (зонных) диаграмм твердого тела.
3.Кинетические явления в полупроводниках, металлах
Собственные и примесные полупроводники. Понятие о дырках. Локальные уровни в запрещенной зоне. Генерация и рекомбинация носителей заряда. Равновесные концентрации носителей заряда, распределение по уровням энергии. Поверхностная рекомбинация. Эффект внешнего поля. Работа выхода. Распределение Максвелла-Больцмана, Ферми-Дирака. Концентрация электронов и дырок в полупроводнике.
4.Контактные явления в микроэлектронных структурах
Контакты «металл-полупроводник» и «полупроводник р- типа – полупроводник n-типа». Равновесное состояние р-n перехода. Электронно-дырочный переход при прямом и обратном внешних напряжениях. Контактная разность потенциалов. Вольт-амперная характеристика (ВАХ) p-n перехода. Диффузионные и дрейфовые токи в переходах. Математическая модель электронно-дырочного перехода.
5.Физические явления, пробой p-n перехода, вызывающие отклонения от идеализированной модели
Туннельный эффект, ударная ионизация и др. Инерционные свойства перехода, барьерная и диффузионная емкости. Работа выхода электронов из металлов и полупроводников. Электронная эмиссия.
6.Физические явления, происходящие в p-n переходах
Фотоэлектрические явления – внутренний и внешний фотоэффект; термоэлектрические и гальванические; эффект Холла.
7.Физические явления и процессы в пленочных структурах
Размерные эффекты и основные свойства тонких пленок. Токи надбарьерной эмиссии в контактирующих тонкопленочных системах. Туннельная эмиссия в контактирующих тонкопленочных системах.
8.Основы наноэлектроники
Начала наноэлектронники. Квантовые ограничения. Туннелирование электронов. Квантовые эффекты в наноструктурах.
9.Развитие и перспективы наноэлектроники
Новые транзисторные структуры. Квантовые приборы наноэлектроники. Одноэлектронные приборы. Новые материалы наноэлектронники.
III. Рекомендуемая литература
Список основной литературы
1.Барыбин А.А. Электроника и микроэлектроника. Физико-технологические основы — М.: Физматлит,2006.-424с.
2.Гусев В.Г. ,Гусев Ю.М. Электроника и микропроцессорная техника. Учебник. М.:Высш.шк.,2006. – 799с.: ил.
Список дополнительной литературы
1.Игумнов Д.В. Основы полупроводниковой электроники: учебное пособие — М.: Горячая линия-Телеком,2005.-392с.: ил.
2.Пасынков В.В. Полупроводниковые приборы: учебное пособие — СПб.: »Лань»,2006. – 480с.
3.Щука А. Электроника. 2-е изд – СПб.: БХВ – Петербург, 2008. (Эл.каталог)
4.Марченко А.Л. Основы электроники. Учебное пособие для вузов – М.: ДМК Пресс,2009 (Эл. каталог)
5.Подергин В.А.,Корчагин М.А.,Игнатов А.Н.,Гришина И.В. Высокоэффективные химические источники электрической энергии: Монография. – Новосибирск: СибГУТИ,2014. – 154с.
6.Травин Г.А. Построение и расчет схем высокочаственных бестрансформаторных звуковых усилителей мощности с глубокими обратными связями: Учебное пособие. – 2 – е изд. – Новосибирск: СибГУТИ,2015. – 152с.
7.Барыбин А.А. Физико-технологические основы макро-, микро- и наноэлектроники [Электронный ресурс]/ Барыбин А.А., Томилин В.И., Шаповалов В.И.— Электрон. текстовые данные.— М.: ФИЗМАТЛИТ, 2011.— 784 c.— Режим доступа: http://www.iprbookshop.ru/24484.— ЭБС «IPRbooks», по паролю
8.Зебрев Г.И. Физические основы кремниевой наноэлектроники [Электронный ресурс]: учебное пособие для вузов/ Зебрев Г.И.— Электрон. текстовые данные.— М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2015.— 241 c.— Режим доступа: http://www.iprbookshop.ru/4585.— ЭБС «IPRbooks», по паролю
9.Шандаров С.М. Введение в квантовую и оптическую электронику [Электронный ресурс]: учебное пособие/ Шандаров С.М., Башкирова А.И.— Электрон. текстовые данные.— Томск: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2012.— 98 c.— Режим доступа: http://www.iprbookshop.ru/13922.— ЭБС «IPRbooks», по паролю
10.Шишкин Г.Г. Наноэлектроника. Элементы, приборы, устройства [Электронный ресурс]: учебное пособие/ Шишкин Г.Г., Агеев И.М.— Электрон. текстовые данные.— М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2015.— 409 c.— Режим доступа: http://www.iprbookshop.ru/6462.— ЭБС «IPRbooks», по паролю.